廢氣處理設（shè）備（bèi）有哪些分類？

廢氣處理設（shè）備，主要是指運用不同工藝技術，通（tōng）過回（huí）收或去除、減少排放尾氣的有（yǒu）害成分，達到保護環境、淨（jìng）化空氣的一種環（huán）保（bǎo）設（shè）備，讓我們的環（huán）境不受到汙染。

一、吸收（shōu）設備（bèi）

吸收法采用低揮發或不揮發性（xìng）溶劑對VOCs進行吸（xī）收，再利用VOCs和吸（xī）收劑物理性質的差（chà）異進行分離。

含VOCs的氣體自吸收塔底部進入塔內，在上升過程中（zhōng）與來自（zì）塔頂（dǐng）的吸收劑逆流接觸，淨化後的（de）氣體由塔頂排出。吸收（shōu）了VOCs的吸收劑通過（guò）熱交換器後，進入（rù）汽提塔頂部，在溫度高於吸收溫度或壓力低於吸收壓力的條件下解吸。解吸（xī）後（hòu）的吸收（shōu）劑經過（guò）溶劑冷凝器冷凝後回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液分離器後以（yǐ）較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適（shì）合於VOCs濃度較高、溫度較低的氣體淨化，其他情況下需要作相應的工藝調（diào）整。

二、吸附設備

在用多孔性固體物（wù）質處理流體混合物時，流體中的（de）某一組分或（huò）某些組分可（kě）被吸表麵並濃集其（qí）上，此現象稱為吸附。吸附處理廢氣時（shí），吸附的對象是氣（qì）態汙染物，氣固（gù）吸附。被吸附（fù）的（de）氣（qì）體組分稱為吸附質（zhì），多孔固體（tǐ）物質稱為吸附劑。

固體表麵吸附了吸附質（zhì）後，一部被吸附的吸附質可從吸附（fù）劑表麵脫離，此現附。而當吸附進行一段（duàn）時間後，由於表麵吸附質的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附淨化的要求，此時需要采（cǎi）用一定的措施使（shǐ）吸附劑上已吸附（fù）的吸附質脫（tuō）附，以協的吸附能力，這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附工程中，正是利用吸附一（yī）再（zài）生（shēng）一再吸附的循環（huán）過程，達到除去廢氣中汙染物質並回收廢氣中有用組分。

三、淨化設備

燃燒法（fǎ）用於處理高濃度Voc與有惡臭的化合物（wù）很有（yǒu）效，其原（yuán）理是用過量的空（kōng）氣使這些雜質燃燒（shāo），大多數生成二氧化碳和水蒸（zhēng）氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合（hé）物時，燃燒生成產物中HCl或SO2，需要對燃（rán）燒後氣體進一步處理。

四、治理設備

等離（lí）子（zǐ）體就是處於電離（lí）狀態的氣體，其英文名稱是plasma，它是由美（měi）國科學 muir，於1927年在研究低（dī）氣壓下汞蒸（zhēng）氣中放電現象時（shí）命名的。等離子體（tǐ）由（yóu）大量的子、中性原子、激（jī）發態原子、光子和自由基等組成，但電子和正離子的電荷數必須體表現出電中性，這就是“等離子體”的（de）含義。等離（lí）子體具有導電和受電（diàn）磁影響（xiǎng）的許多方麵與固體、液體和氣體不同，因此又有人把它稱為物（wù）質的第四種狀態（tài）。根據狀態、溫度（dù）和離（lí）子密度，等離子體通常（cháng）可以分為（wéi）高溫等離子體和低溫等離子體（tǐ）（包子體和冷等離子體）。其中高溫等離子體的電離度接近1，各種粒子溫度幾乎相同係處於熱力學平（píng）衡狀態，它主要應用在受控熱核反應研究方麵。而低溫等離子（zǐ）體則學非平衡狀態（tài），各種（zhǒng）粒子溫度並不相（xiàng）同。其中電子溫（wēn）度（dù）( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而（ér）其離子和中性粒子的溫度卻可低到300～500K。一般氣體放（fàng）電子體屬於低溫等離（lí）子體。

截至2013年，對低溫等離（lí）子體的作用機理研究認為是粒（lì）子非彈性碰（pèng）撞的結（jié）果。低溫等（děng）離富含電子、離子、自由基和激發態分子，其中高能電子與氣體（tǐ）分子（原子）發生撞，將能量轉換成基態分子（原（yuán）子）的內能，發生激發、離解和電離等一（yī）係列過秸（jiē）處於活化狀（zhuàng）態。一方麵打開了氣體分子（zǐ）鍵，生成一些單分子（zǐ）和固體微粒；另一力生．OH、H2O2．等自由基和氧化（huà）性極強的O3，在這一過程中高能電子起決定（dìng）性作（zuò）用，離子的熱運動隻有副作用。常壓下，氣（qì）體放電產（chǎn）生的高度非平衡等（děng）離子（zǐ）體（tǐ）中電子溫層氏度）遠高於氣體溫度（室溫100℃左右）。在非平衡等（děng）離子體中可能發生（shēng）各種類型（xíng）的化學（xué）反應，主要決定於（yú）電子的平均能量、電子密度（dù）、氣體溫度、有害氣體分子濃度和≥氣體（tǐ）成分。這為一些需要很大活（huó）化能的反應如大氣中（zhōng）難（nán）降解汙染（rǎn）物的去除提供了另外也可以對低濃度、高流速、大風量的含揮發性有機汙染物和含硫類（lèi）汙（wū）染物等（děng）進行處理。

常見（jiàn）的產生等離子體的方法是（shì）氣體放電，所謂氣體放電是指通過某種機製使一電子從氣體（tǐ）原子（zǐ）或（huò）分子中電離出來，形成的氣體媒質稱為電離氣體，如果電（diàn）離氣由外電場產生並形成（chéng）傳導電流，這種現象稱為氣體放電。根據放電產生的機理、氣體的壓j源性質以及電極的幾何形狀、氣體（tǐ）放電等離子體主要分為以下幾（jǐ）種形式（shì）：①輝（huī）光放電（diàn）；③介質（zhì）阻擋放電；④射頻（pín）放電；⑤微波放電。無論哪一種形式產生（shēng）的等離子體，都需要高壓放電（diàn）。容易打火產生危險。由（yóu）於對諸如氣態汙染物的治理，一般要求在常壓下進行。

五、光催化和生物淨化設備

光催化是常溫深度反應技術。光催（cuī）化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機汙（wū）染物完全氧化成無毒無害的產物，而傳統的高溫焚燒技術則需要在極高的溫度下才可將汙染物摧毀，即使用常規的（de）催化（huà）、氧化方法（fǎ）亦需（xū）要幾百度的（de）高溫。

從（cóng）理論上講，隻要（yào）半導體吸收的光（guāng）能不小於其帶（dài）隙能，就足以激發產生電子和（hé）空穴，該半導體就有可能用作光催（cuī）化（huà）劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬（shǔ）氧化物或硫（liú）化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及（jí）PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突（tū）出優點（diǎn），具體研究中可根據需要選用，如CdS半導體帶隙能（néng）較小，跟（gēn）太陽光譜中（zhōng）的近紫外光段（duàn）有較好的匹配（pèi）性能，可（kě）以很好地利用自然光（guāng）能（néng），但它容易發生光腐（fǔ）蝕，使用壽命有限。相對而言（yán），Ti02的綜合性能較好，是（shì）最廣泛使用和研究的單一化合（hé）物光催化（huà）劑。